根据新闻的报道，三星电子已经完成了内存过程

根据韩国媒体Etneuse，Ajunu和FNNews的说法，7月1日的消息授予了第六级DRAM进程的生产准备批准（PRA）。这表明三星的准备工作以完成1CNM记忆的发展和生产生产的转移。三星电子HBM4 12HI存储器使用1c nm DRAM。在接下来的1 - 2年内，此记忆过程的表现对DS部门的收入绩效产生了重大影响。在三星电子产品之前，SK Hynix和Micron还完成了20-10 nm的第六代过程的DRAM的开发，三家主要存储器制造商正处于10 nm Mark中的一步。